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IGBT模塊的選擇

日期:2022-07-27 07:35
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摘要:
 IGBT模塊的選擇

  IGBT模塊的電壓規格與所使用裝置的輸入電源即試電電源電壓緊密相關。其相互關係見下表。使用中當IGBT模塊集電極電流增大時,所產生的額定損耗亦變大。同時,開關損耗增大,使原件發熱加劇,因此,選用IGBT模塊時額定電流應大於負載電流。特別是用作高頻開關時,由於開關損耗增大,發熱加劇,選用時應該降等使用。

使用中的注意事項

  由於IGBT模塊為MOSFET結構,IGBT的柵極通過一層氧化膜與發射極實現電隔離。由於此氧化膜很薄,其擊穿電壓一般達到20~30V。因此因靜電而導致柵極擊穿是IGBT失效的常見原因之一。因此使用中要注意以下幾點:

  在使用模塊時,盡量不要用手觸摸驅動端子部分,當必須要觸摸模塊端子時,要先將人體或衣服上的靜電用大電阻接地進行放電後,再觸摸; 在用導電材料連接模塊驅動端子時,在配線未接好之前請先不要接上模塊; 盡量在底板良好接地的情況下操作。 在應用中有時雖然保證了柵極驅動電壓沒有超過柵極*大額定電壓,但柵極連線的寄生電感和柵極與集電極間的電容耦合,也會產生使氧化層損壞的振蕩電壓。為此,通常采用雙絞線來傳送驅動信號,以減少寄生電感。在柵極連線中串聯小電阻也可以抑製振蕩電壓。

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