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新聞詳情

可控矽的主要參數

日期：2022-05-20 03:56
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摘要：
 可控矽的主要參數有：平均值

1、 額定通態平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。

2、 正向阻斷峰值電壓VPF 在控製極開路未加觸發信號，陽極正向電壓還未超過導能電壓時，可以重複加在可控矽兩端的正向峰值電壓。可控矽承受的正向電壓峰值，不能超過手冊給出的這個參數值。

3、反向阻斷峰值電壓VPR當可控矽加反向電壓，處於反向關斷狀態時，可以重複加在可控矽兩端的反向峰值電壓。使用時，不能超過手冊給出的這個參數值。

4、 控製極觸發電流Ig1 、觸發電壓VGT在規定的環境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時，可控矽從關斷狀態轉為導通狀態所需要的*小控製極電流和電壓。

5、維持電流IH在規定溫度下，控製極斷路，維持可控矽導通所必需的*小陽極正向電流。許多新型可控矽元件相繼問世，如適於高頻應用的快速可控矽，可以用正或負的觸發信號控製兩個方向導通的雙向可控矽，可以用正觸發信號使其導通，用負觸發信號使其關斷的可控矽等等。

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