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IGBT模塊的相關知識介紹

日期：2022-05-16 21:51
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摘要：
     IGBT模塊，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和 MOS(絕緣柵型場效應管)組成的複合全控型電壓驅動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方麵的優點。
     GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。
    IGBT綜合了以上兩種器件的優點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用於直流電壓為600V及以上的變流係統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。
    例一個N溝道增強型絕緣柵雙極晶體管結構， N+區稱為源區，附於其上的電極稱為源極。
    N+區稱為漏區。器件的控製區為柵區，附於其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區邊界形成。在漏、源之間的P 型區（包括P+ 和P 一區）（溝道在該區域形成），稱為亞溝道區（ Subchannel region ）。
    而在漏區另一側的P+ 區稱為漏注入區（ Drain injector ），它是IGBT特有的功能區，與漏區和亞溝道區一起形成PNP雙極晶體管，起發射極的作用，向漏極注入空穴，進行導電調製，以降低器件的通態電壓。附於漏注入區上的電極稱為漏極。 IGBT的開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導通。
反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關斷。
    IGBT的驅動方法和MOSFET基本相同，隻需控製輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。

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